開(kāi)始的蝕刻技術(shù)性是運(yùn)用特殊的水溶液與塑料薄膜間所開(kāi)展的化學(xué)變化來(lái)除去塑料薄膜未被光阻遮蓋的一部分，而做到蝕刻的目地，這類蝕刻方法也就是五金蝕刻設(shè)備廠家說(shuō)白了的濕試蝕刻。由于濕試蝕刻是運(yùn)用化學(xué)變化來(lái)開(kāi)展塑料薄膜的除去，而化學(xué)變化自身沒(méi)有專一性，因而濕試蝕刻全過(guò)程為等抗逆性，一般而言此方法不能界定3μm下列的圖形界限，但針對(duì)3μm之上的圖形界限界定濕試蝕刻依然為一可挑選選用的技術(shù)性。
濕試蝕刻往往在微電子技術(shù)制作過(guò)程中被普遍的選用乃因?yàn)槠渚邆浣档统杀尽⒑芨叩目煽啃?、增產(chǎn)能及優(yōu)異的蝕刻挑選比等優(yōu)勢(shì)。但相對(duì)性于干試蝕刻，除開(kāi)無(wú)法定義偏細(xì)的圖形界限外，濕試蝕刻仍有下列的缺陷：
1)需花銷較高成本費(fèi)的反映水溶液及雙蒸水；
2)化學(xué)品解決時(shí)工作人員所遭受的安全隱患；
3)光阻粘合力難題；
4)汽泡產(chǎn)生及有機(jī)化學(xué)蝕刻液沒(méi)法徹底與圓晶表層觸碰所導(dǎo)致的不徹底及不勻稱的蝕刻；
5)有機(jī)廢氣及潛在性的可燃性。
濕試蝕刻全過(guò)程可分成三個(gè)流程：
1)有機(jī)化學(xué)蝕刻液外擴(kuò)散至待蝕刻原材料之表層；
2)蝕刻液與待蝕刻原材料產(chǎn)生化學(xué)變化；
3)反映后之物質(zhì)從蝕刻原材料之表層外擴(kuò)散至水溶液中，并隨水溶液排出來(lái)(3)。三個(gè)流程中開(kāi)展比較慢者為速度操縱流程，換句話說(shuō)該流程的化學(xué)反應(yīng)速率即是全部反映之速度。
五金蝕刻設(shè)備廠家強(qiáng)調(diào)絕大部分的蝕刻全過(guò)程包括了一個(gè)或好幾個(gè)化學(xué)變化流程，各種各樣形狀的反映都是有很有可能產(chǎn)生，但常碰到的反映是將待蝕刻層表層先給予空氣氧化，再將此空氣氧化層融解，并隨水溶液排出來(lái)，這般不斷開(kāi)展以做到蝕刻的實(shí)際效果。如蝕刻硅、鋁時(shí)就是運(yùn)用此類化學(xué)變化方法。